|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 2821 van 6662 gevonden artikelen
| Titel: |
Kinetics of reverse resistance recovery of silicon diodes: The role of the distance the metallurgical p+n-junction-defect layer formed by 250MeV krypton implantation |
| Auteur: |
Poklonski, N.A. Gorbachuk, N.I. Shpakovski, S.V. Filipenia, V.A. Skuratov, V.A. Wieck, A. |
| Verschenen in: |
Physica. B, Condensed matter |
| Paginering: | Jaargang 404 (2009) nr. 23-24 pagina's 4 p. |
| Jaar: |
2009 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 2821 van 6662 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |